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SiHF18N50D
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
60
3
Vishay Siliconix
50
TOP
15V
14V
13V
12V
T J = 25 °C
2.5
I D = 9 A
11V
10V
40
30
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
2
1.5
20
10
1
0.5
V GS = 10 V
0
5.0 V
0
0
5
10
15
20
25
30
- 60 - 40 - 20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
40
V D S , Drain -to - S ource Voltage (V)
Fig. 1 - Typical Output Characteristics
T J , Junction Temperature (°C)
Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature
10 000
TOP
15V
14V
13V
T J = 150 °C
32
24
12V
11V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
BOTYTOM 5.0V
1000
100
C i ss
C o ss
V GS = 0 V, f = 1 MHz
C i ss = C g s + C gd , C d s S horted
C r ss = C gd
C o ss = C d s + C gd
16
C r ss
10
8
0
5.0 V
1
0
5
10
15
20
25
30
0
100
200
300
400
500
60
V D S , Drain-to- S ource Voltage (V)
Fig. 2 - Typical Output Characteristics
V D S , Drain-to- S ource Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
24
V D S = 400 V
50
40
30
20
16
12
V D S = 250 V
V D S = 100 V
20
10
T J = 150 °C
T J = 25 °C
8
4
0
0
5
10
15
20
25
0
0
10
20
30
40
50
60
70
V GS , G ate- -to- S ource Voltage (V)
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
Q g , Total G ate Charge (nC)
Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
S12-1228-Rev. A, 21-May-12
3
Document Number: 91507
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
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